热加工工艺

作者：杨楼江, 庞兴志, 许征兵, 汤宏群, 李安敏, 刘丞钰,

关键词：TiB₂, 吸附性, 电子性能, 第一性原理,

利用第一性原理计算法对Zr、Si和V原子在TiB2（0001）表面的原子结构、吸附性能和电子结构进行了综合性研究。计算结果表明，Zr、V在TiB2（0001）表面吸附时吸附能最低在桥1位，而Si在hcp处吸附的吸附能最低。Zr、Si、V在TiB2（0001）表面吸附的过程中会发生杂化，其主要是由于Zr-4d、Si-3p、V-3p和Ti-3d轨道的贡献。Zr-Ti键、Si-Ti键与V-Ti键主要为共价键，共价键的强度降序为Si-Ti键、Zr-Ti键、V-Ti键。

来源：2025年第20期

《热加工工艺》期刊编辑部

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