热加工工艺

作者：刘晨阳, 李芮鸽, 王有超, 木二珍,

关键词：退火, 磁控溅射, 碲化铋, 薄膜结构, 电学性能,

Bi2Te3是窄禁带、低温性能最好的室温热电材料之一。采用多靶磁控共溅射工艺制备了Bi2Te3薄膜，并对不同退火条件下的薄膜结构和电学性能进行了观察测试，分析研究了退火温度对Bi2Te3薄膜结构及电学性能的影响机理。结果表明，退火温度明显影响Bi2Te3薄膜的结构及电学性能。当退火温度从200℃升高到400℃，薄膜沿着垂直于衬底方向生长的晶粒变粗大，且晶粒生长方向的一致性遭到破坏。当退火温度升高到400℃时，薄膜发生熔融相变再结晶。同时，随着退火温度的升高，薄膜功率因子从0.09×10-3W·m-1·K-2增加到0.21×10-3W·m-1·K-2。当退火温度增加到400℃时，薄膜的功率因子降低至0.16×10-3W·m-1·K-2。薄膜的功率因子在退火温度为350℃时到达最大值0.21×10-3W·m-1·K-2。

来源：2025年第18期

《热加工工艺》期刊编辑部

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