热加工工艺

作者：何惠江, 宣乐, 毛高翔, 刘辉, 王春海,

关键词：同位靶磁控溅射, Al掺杂CdSe薄膜, 电学行为,

为增加掺杂薄膜的元素均匀性，基于磁控溅射技术，设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法，并用于制备Al掺杂CdSe薄膜，获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明：制备的薄膜为富Se状态，呈现明显的（111）择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻由5.2 kΩ/□升高至544.5 kΩ/□。随着Al掺杂量的增加，薄膜的方块电阻下降。当共溅射Al片为6片时，薄膜方块电阻为7.7 kΩ/□，薄膜半导体类型由p型转变为n型。掺杂薄膜体电导率分别为192.4 （未掺杂）、2.01×104（Al片数1）、506.9（Al片数2）、384.8（Al片数4）、284.9 mΩ·cm（Al片数6）。掺杂薄膜样品的禁带宽度Eg分别为1.82 （未掺杂）、1.97 （Al片数1）、1.75 （Al片数2）、1.78 （Al片数4）、1.82 eV（Al片数6）。

来源：2024年第16期

《热加工工艺》期刊编辑部

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