国内刊号:61-1133/TG
国际刊号:1001-3814
发布日期:
作者:孙恒辉, 周汶燕, 王丹, 袁新强, 蒋鹏, 张伟,
关键词:W掺杂, VO<sub>2</sub>(M)粉体, 热致相变, 智能窗,
W掺杂M相VO2(W-VO2(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO2(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO2(M)粉体的研究情况,分析了W、Ti共掺杂M相VO2(W/Ti-VO2(M))粉体研究的可行性。最后,提出W/Ti-VO2(M)与SiO2复合形成核-壳结构(W/Ti-VO2(M)@SiO2)粉体的研究思路。
来源:2024年第10期
《热加工工艺》期刊编辑部