国内刊号:61-1133/TG
国际刊号:1001-3814
发布日期:
作者:张伟, 刘天成, 潘贇, 雷毅楠, 李会波,
关键词:纳米晶合金, 无线充电, 直流偏置性能, 复合磁导率, 导磁片,
对Fe74Cu1Nb3Si15B7 以及Fe81Cu6Nb1Si7B5 纳米晶合金分别在570、520 ℃下进行退火热处理,然后与丙烯酸酯胶粘剂贴合制备多层导磁片复合材料,研究了不同合金成分对纳米晶导磁片磁性能的影响。结果表明,Fe74Cu1Nb3Si15B7 在100~600 mT(f 为100 kHz)时,损耗值Pcm 明显小于Fe81Cu6Nb1Si7B5 的损耗值。当频率在1.8 MHz 以上时,Fe81Cu6Nb1-Si7B5 虚部磁导率μ''反而更低,Fe81Cu6Nb1Si7B5 在高频下表现出更好的特性。在相同电流下,Fe81Cu6Nb1Si7B5 导磁片直流偏置性能相对更高。除此之外,随着碎磁次数的增加,两种合金实部磁导率μ' 降低同时随频率f 的衰减量减小;在100 kHz~30 MHz 频率范围内,两种合金虚部磁导率μ''最大值对应频率f 随碎磁次数增加均向高频偏移。
来源:2023年第12期
《热加工工艺》期刊编辑部