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国内刊号:61-1133/TG
国际刊号:1001-3814
发布日期:
作者:张鸣, Benson Kihono Njuguna, 谭毅, 李佳艳,
关键词:Si-Al合金, 单晶硅衬底, 类单晶硅,
硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108 μm/s下降至Si (100)衬底上的0.075 μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si (100)衬底上的生长速率明显快于Si (111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。
来源:2022年第7期
《热加工工艺》期刊编辑部
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